序號(hào)

設(shè)備及主要配件名稱

技術(shù)指標(biāo)

數(shù)量

備注

1

設(shè)備總體要求

1、設(shè)備總占地：寬≤000mm，深≤600mm，高≤1000mm；
2、設(shè)備由熱退火處理設(shè)備主體單元、工藝氣體輸入單元、廢氣處理排放接口單元和控制單元等組成；
3、設(shè)備所用搬運(yùn)通道截面寬≤1350mm；高≤2000mm；
4、設(shè)備選用的所有材料及配件需滿足在百級(jí)潔凈室工作的需要，不得向腔體內(nèi)外散發(fā)灰塵顆粒物；
5、設(shè)備需設(shè)計(jì)良好的排風(fēng)系統(tǒng)，對(duì)操作人員有充足的保護(hù)措施；

6、設(shè)備使用中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的220V單相或380V三相交流電源。

 

 

2

熱退火設(shè)備主體

*1、熱退火腔體使用電化學(xué)拋光的316L不銹鋼材料，容積不小于75L；
2、在處理200mm*200mm的方形玻璃基片時(shí)，能放置2個(gè)片架，每個(gè)片架能放置不少于20片基片；
3、HMDS標(biāo)準(zhǔn)處理程序?yàn)?批/小時(shí)以上；在進(jìn)行圖像翻轉(zhuǎn)處理時(shí)1批/小時(shí)；
4、退火儀最高工作溫度可達(dá)200℃，常用熱處理溫度為室溫~160℃；
5、達(dá)到穩(wěn)定后腔體內(nèi)溫度一致性應(yīng)優(yōu)于±5℃；
*6、腔體內(nèi)潔凈度應(yīng)達(dá)到每標(biāo)準(zhǔn)HMDS處理程序200mm*200mm的TFT玻璃基板上附著的1微米級(jí)別顆粒<12個(gè)；直徑為150mm*150mm的晶圓上1微米級(jí)別顆粒<5個(gè)；

1

 

3

工藝氣體氣氛單元

*1、包括保護(hù)性N2氣路、用于圖像反轉(zhuǎn)的NH3氣路、以及用于超精細(xì)電路線條處理的HMDS液體氣化器氣路共3路氣路和1路真空管路；
2、保護(hù)性N2氣體的消耗量不高于20SCF每標(biāo)準(zhǔn)制程，并配置氮?dú)夤苈奉A(yù)熱裝置，保證腔體的快速升溫和溫度均勻性；

3、配置用于發(fā)生HMDS蒸汽的HMDS液瓶，不需另外配置其它部件即可進(jìn)行HMDS處理工藝；

4、配置Alcatel或Edwards真空泵，抽速為7cfm或以上，并在排氣口帶油氣過(guò)濾器以適應(yīng)在百級(jí)潔凈區(qū)工作，泵工作時(shí)不得破壞百級(jí)區(qū)潔凈度；

1

 

4

廢氣處理排放接口單元

*1、應(yīng)有可靠措施將廢氣后接入實(shí)驗(yàn)室中央排風(fēng)系統(tǒng)，應(yīng)有可靠措施保證有害氣體不向?qū)嶒?yàn)室環(huán)境中擴(kuò)散。保證使用人員安全；

1

 

5

控制單元

1、使用觸摸屏監(jiān)控，可編程分段控制加熱溫度和時(shí)間、HMDS處理時(shí)間，編程時(shí)間范圍0-999999秒；
2、帶過(guò)熱報(bào)警并自動(dòng)關(guān)斷功能，帶制程結(jié)束聲光報(bào)警、程序異常報(bào)警功能；
3、帶真空和氣壓連鎖功能，以保證腔體內(nèi)氣壓穩(wěn)定性和工藝完整性。

4、可保存程序數(shù)量不少于8個(gè)。

1

 

6

附件

1、不銹鋼片架2個(gè)，針對(duì)200 mm×200 mm，厚度為0.3~1.1 mm的方形玻璃基板。并提供片架圖紙；
2、腔室門密封圈一個(gè)。