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場(chǎng)發(fā)射透射電子顯微鏡、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡項(xiàng)目招標(biāo)公告

信息發(fā)布日期:2009.01.04 標(biāo)簽: 黑龍江省招標(biāo) 哈爾濱市招標(biāo) 
招標(biāo)編號(hào):HITZB-349
加入日期:2009.01.04
截止日期:2009.01.14
招標(biāo)業(yè)主:哈爾濱工業(yè)大學(xué)招標(biāo)采購(gòu)辦公室
地 區(qū):哈爾濱
內(nèi) 容:場(chǎng)發(fā)射透射電子顯微鏡、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡項(xiàng)目
 
招標(biāo)公告正文

 哈爾濱工業(yè)大學(xué)招標(biāo)采購(gòu)辦公室受用戶的委托,擬就場(chǎng)發(fā)射透射電子顯微鏡、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡項(xiàng)目進(jìn)行國(guó)內(nèi)公開招標(biāo)。歡迎具有此項(xiàng)供貨能力、資信良好的國(guó)外制造商在境內(nèi)的辦事機(jī)構(gòu)及代理商前來(lái)投標(biāo)。
  一、項(xiàng)目名稱:場(chǎng)發(fā)射透射電子顯微鏡、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
  二、招標(biāo)編號(hào):HITZB-349
  三、主要技術(shù)指標(biāo):
  3.1 場(chǎng)發(fā)射透射電子顯微鏡
  3.1.1 產(chǎn)品配置要求
  3.1.1.1 場(chǎng)發(fā)射透射電鏡主機(jī)一臺(tái),包括:
 。1)電子顯微鏡基本單元 1套
 。2)普通單傾樣品臺(tái) 1臺(tái)
 。3)Be低背景雙傾樣品臺(tái) 1臺(tái)
 。4)空氣壓縮機(jī) 1套
 。5)冷卻水循環(huán)系統(tǒng) 1套
 。6)必備電鏡控制計(jì)算機(jī)等 1套
  (7)設(shè)備正常運(yùn)行和保養(yǎng)所需的標(biāo)準(zhǔn)備品備件、專用工具 1套
  3.1.1.2 一體化STEM系統(tǒng)一套,包括:
 。1)掃描透射附件(STEM) 1套
  (2)高角環(huán)形暗場(chǎng)探頭(HAADF) 1套
  3.1.1.3 一體化能譜儀系統(tǒng)(全套軟硬件及通信接口) 1套
  3.1.1.4 一體化CCD相機(jī)及成像系統(tǒng)(全套軟硬件及通信接口) 1套
  3.1.1.5 EELS及能量過(guò)濾成像系統(tǒng)(全套軟硬件及通信接口) 1套
  3.1.1.6 電子衍射分析包                     1套
  3.1.1.7 備用場(chǎng)發(fā)射燈絲 1套
  3.1.1.8 備用光闌                       4套
  3.1.1.9 配套設(shè)備
 。1)多功能離子束減薄儀 1套
 。2)UPS不間斷電源 1套
  3.1.2 主要技術(shù)規(guī)格
  3.1.2.1透射電鏡分辨率
  *(1)點(diǎn)分辨率:≤ 0.20nm
  *(2)線分辨率:≤ 0.10nm
 。3)信息分辨率:≤ 0.14nm
  3.1.2.2加速電壓
  *(1)加速電壓:300kV(最高);≤ 50kV(最低)
 。2)高壓穩(wěn)定性:≤ 1 ppm/10min
  3.1.2.3電子槍
  *(1)類型:肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍
 。2)束流:1nm束斑電流 ≥ 0.5nA
 。3)最大束流:> 100nA
  (4)最小能量色散:≤ 0.8eV(300kV下)
 。5)透射模式(TEM):最小束斑尺寸 ≤ 2 nm
  (6)微區(qū)分析模式:最小束斑尺寸 ≤ 0.4 nm
 。7)束斑漂移:≤ 1nm/min
  3.1.2.4 物鏡
 。1)球差系數(shù):≤ 1.2 mm
 。2)色差系數(shù):≤ 1.8 mm
 ?。2)最大:≥ 1,000,000倍
  3.1.2.6 相機(jī)長(zhǎng)度
  (1)最。 ≤ 120mm
 。2)最大: ≥ 2,000mm
  3.1.2.7 樣品臺(tái)
 。1)標(biāo)準(zhǔn)低背景雙傾樣品臺(tái)最大傾斜角度:? ≥ ± 35°,? ≥ ± 30°
 。2)樣品移動(dòng)范圍:X/Y ≥ 2 mm
  3.1.2.8 掃描透射(STEM))分辨率:? 0.17 nm
  3.1.2.9 能譜儀(EDS)
 。1)固體角:≥ 0.13 sr., 取出角:≥ 20°
 。2)有效探測(cè)器面積:30 mm²
 。3)能量分辨率: ? 136eV(Mn K?線)
 。4)元素分析范圍:B5-U92
  3.1.2.10 CCD相機(jī)及成像系統(tǒng)
  *(1)像素:2048 2048
 。2)動(dòng)態(tài)范圍:≥ 14-bit
  3.1.2.11 電子能量損失譜及能量過(guò)濾成像系統(tǒng)
 。1)球差校正:3rd Order校正
 。2)入口孔徑:5mm
  (3)能量分辨率:? 0.6eV
 。4)CCD相機(jī)像素:2048 2048
  3.1.2.12 多功能離子束減薄儀
  (1)離子束能量:0.8~10.0keV
 。2)樣品冷卻:溫度控制精度? ±10℃
  (3)樣品X方向移動(dòng):范圍3mm;精度0.1mm
  (4)離子刻蝕和鍍膜面積:直徑25mm
  3.1.2.13 UPS不間斷電源
 。1)功率:15kW
 。2)延續(xù)時(shí)間:≥ 1小時(shí)
  3.2 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
  3.2.1 產(chǎn)品配置要求
  3.2.1.1 場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡主機(jī)一臺(tái),包括:
 。1)電子顯微鏡基本單元 1套
 。2)四軸馬達(dá)樣品臺(tái) 1套
 。3)電鏡控制及Windows XP 操作系統(tǒng) 1套
 。4)ETD, LF-GSED, GSED三個(gè)二次電子檢測(cè)器 1套
 。5)背散射電子檢測(cè)器 1套
 。6)CCD相機(jī) 1套
 。7)電鏡操作臺(tái) 1套
  3.2.1.2 空氣壓縮機(jī) 1套
  3.2.1.3 冷卻水循環(huán)系統(tǒng) 1套
  3.2.1.4 設(shè)備正常運(yùn)行和保養(yǎng)所需的標(biāo)準(zhǔn)備品備件、專用工具 1套
  3.2.1.5 備用場(chǎng)發(fā)射燈絲 2套
  3.2.1.6 備用400um光闌(每套3只)             2套
  3.2.1.7 陶瓷GSED探測(cè)器及接口 1套
  3.2.1.8 能譜儀與電子背散射儀一體化系統(tǒng) 1套
  3.2.1.9 UPS不間斷電源 1套
  3.2.2 主要技術(shù)規(guī)格
  3.2.2.1 掃描電鏡圖像分辨率
 。1)二次電子像分辨率
  高真空模式:≤ 1.2nm(30kV);≤ 3.0nm(1kV)
  低真空模式:≤ 1.5nm(30kV);≤ 3.0nm(3kV)
  環(huán)境真空模式:≤ 1.5nm(30kV)
 。2)背散射電子像分辨率:≤ 2.5nm(30kV)
  3.2.2.2 加速電壓: 0.2kV-30KV
  3.2.2.3 放大倍數(shù):12倍-100萬(wàn)倍
  *3.2.2.4 電子槍:肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍, 最大束流100nA
  3.2.2.5 樣品室
 。1)樣品臺(tái)(4軸馬達(dá)驅(qū)動(dòng))
  X ≥ 50mm;Y ≥ 50mm;Z ≥ 50mm,T ≥- 15~+75°(手動(dòng));R=360°
 。2)樣品室尺寸: ≥ 250mm
 。3)可加配熱臺(tái)和拉伸臺(tái)
 。4)配有能譜和EBSD接口
  3.2.2.6 真空系統(tǒng)
 。1)高真空模式:優(yōu)于6×10-4Pa
  (2)低真空模式:10Pa~130Pa
  (3)環(huán)境真空模式:10Pa~4000Pa
  3.2.2.7 能譜儀與電子背散射儀一體化系統(tǒng)
  能譜儀部分
  *(1)探頭類型:電制冷硅漂移(SDD)探測(cè)器
  *(2)能量分辨率(MnK?):≤ 129eV(≥ 4000CPS條件下)
 。3)元素分析范圍:B5~U92
 。4)可輸出最大計(jì)數(shù)率:大于100,000CPS
  (5)可處理最大計(jì)數(shù)率:大于500,000CPS
  背散射電子衍射儀部分
 。1)EBSD探頭:高分辨率數(shù)字CCD相機(jī)
 。2)花樣分辨率:≥ 640 480
 。3)花樣指標(biāo)化速度: ≥ 150幅/秒,且標(biāo)定準(zhǔn)確率 > 99%
 。4)花樣指標(biāo)化能力:能對(duì)7個(gè)晶系的所有晶體衍射花樣自動(dòng)標(biāo)定
 。5)提供常見(jiàn)物相的晶體學(xué)數(shù)據(jù)庫(kù)
  3.2.2.7 USB不間斷電源
 。1)功率:10kW
  (2)延續(xù)時(shí)間:≥ 1小時(shí)
  四、設(shè)備產(chǎn)地及供貨期
  4.1 除3.1.1.9(2)和3.2.1.9項(xiàng)UPS不間斷電源可選國(guó)產(chǎn)設(shè)備外,其余設(shè)備(包括附件)產(chǎn)地均為國(guó)外。
  4.2 場(chǎng)發(fā)射透射電鏡供貨期為8~10個(gè)月
  4.3 場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡供貨期為4~6個(gè)月
  五、售后服務(wù)
  5.1 設(shè)備安裝調(diào)試
  儀器到達(dá)用戶所在地后,在接到用戶通知后2周內(nèi)執(zhí)行安裝調(diào)試直至達(dá)到驗(yàn)收指標(biāo)。
  5.2 技術(shù)培訓(xùn)
  在用戶現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行必要的培訓(xùn)。培訓(xùn)內(nèi)容包括儀器的技術(shù)原理、操作、數(shù)據(jù)處理、基本維護(hù)等。
  5.3 保修期
  提供1年以上的免費(fèi)保修,保修期自驗(yàn)收簽字之日起計(jì)算。
  5.4 維修響應(yīng)時(shí)間
  應(yīng)在24小時(shí)內(nèi)對(duì)用戶的服務(wù)要求做出響應(yīng),一般問(wèn)題應(yīng)在三個(gè)工作日內(nèi)解決,重大問(wèn)題或其他無(wú)法迅速解決的問(wèn)題應(yīng)在一周內(nèi)解決或提出明確解決方案。
  六、投標(biāo)商準(zhǔn)入資格
 。1)具有在境內(nèi)的獨(dú)立法人資格以及相關(guān)資質(zhì)證明文件。
  (2)具備中國(guó)政府采購(gòu)法第二十二條的條件。
  (3)有意參與投標(biāo)的供應(yīng)商在十日內(nèi)(截止日期:2009年1月14日)與我辦聯(lián)系,以便于有效安排開標(biāo)事宜。
 。4)本次招標(biāo)為進(jìn)口設(shè)備,謝絕國(guó)內(nèi)產(chǎn)品制造商投標(biāo)。
  (5)電話告知,并遞交投標(biāo)申請(qǐng)表以及營(yíng)業(yè)執(zhí)照傳真與我們。
  七、報(bào)名辦法
  招標(biāo)人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
  招標(biāo)人地址:***
  哈爾濱工業(yè)大學(xué)行政辦公樓207室招標(biāo)采購(gòu)辦公室
  招標(biāo)聯(lián)系人:張立 聯(lián)系電話***
  技術(shù)聯(lián)系人:孟慶昌 聯(lián)系電話***
  郵政編碼:150001

 

 

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